GAAS EPITAKSIAL QATLAMLARNING SUV BUG’ REAKSIASI BILAN O’STIRISH MEXANIZMLARINI TADQIQ QILISH

Authors

  • Usmonov Jafar Isroilovich Buxoro tabiiy resurslarni boshqarish instituti mustaqil tadqiqotchisi

Keywords:

Yarim o’tkazgich, epitaksiya, taglik, gofret, buffer, Choxral usul, reaktiv, kirishma, o’stirish

Abstract

Biz taklif qilayotgan tadqiqot ishi GaAs ning suv bug’ reaksiyasi bilan parchalanishini batafsil o’rganamiz va bu reaksiyaga asoslangan epitaksial qatlamlarning o’sish texnikasini, o’sish tezligini va har bir soniyalarda bir necha nm ga osishi mumkinligini ko’rsatamiz. Bu yarim izolyatsiyalovchi va qalin epitaksial qatlamlarni ishlab chiqarishga iqtisodiy imkoniyatlari yaxshilanadi. Bu qatlamlar yuqori quvvatli elektronika, fotodetektor va mikroelektronika (bir biriga elektrofizik xususiyatlari juda yaqin yarim izolyatsion qatlamlarni ishlab chiqarish) kabi turli sohalarda foydalanishga imkon beruvchi elektron qurilmalarni (fotoelementlar) yaratish mumkinligini tajribalar orqali aytib o’tamiz.

Downloads

Published

2022-11-26

Issue

Vol. 10 (2022)

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

How to Cite

GAAS EPITAKSIAL QATLAMLARNING SUV BUG’ REAKSIASI BILAN O’STIRISH MEXANIZMLARINI TADQIQ QILISH. (2022). Uzbek Scholar Journal, 10, 380-387. https://uzbekscholar.com/index.php/uzs/article/view/395